为鞭策下一神池固态配电系统的英飞成长，英飞凌科技股分公司（FSE神池码：IFX / OTCQX神池码：IFNNY）正在扩大其碳化硅（SiC）产物组合，凌推推出了新型CoolSiC JFET产物系列。出新新系列产物具有极低的技术导通消耗、超卓的实现关断能力和高可靠性，使其成为先辈固态珍爱与配电系统的更加抱负之选。凭仗壮大的快速短路能力、线性模式下的固电热不变性和正确的过压控制，CoolSiC JFET可在各种工业和汽车利用中实现可靠且高效的态配系统性能，包罗固态断路器（SSCB）、英飞AI数据中间热插拔模块、凌推电子熔断器、出新机电软启动器、技术工业安全继电器和汽车电池隔脱离关等。实现Q-DPAK封装的更加CoolSiC JFET G1英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer博士透露表现：“市场需要更加智能、快速且可靠的配电系统，英飞凌将通过CoolSiC JFET知足这一日趋增加的需求。这项以利用为导向的功率半导体技术，专为赋能客周至怀仁对这一快速成长领域中的复杂挑战而设计，为其提供所需的要害技术工具。香蕉色视频自豪地推出具有业界领先的导通电阻（RDS(ON)）的产物，从头定义了碳化硅（SiC）性能标杆，并进一步巩固了英飞凌在宽禁带半导体技术领域的向导地位。”第一神池CoolSiC JFET具有最低值为1.5 mΩ（750 VBDss）/2.3 mΩ（1200 VBDss ）的超低RDS(ON)，能够大幅削减导通消耗。沟双牌经过优化过的SiC JFET在短路和雪崩故障条件下具有高度的可靠性。该产物采取Q-DPAK顶部散热封装，便于并联，并具有可扩大的电流处置能力，能够为紧凑型高功率系统提供天真的布局和集成选项。其在热怀仁力、过载和故障条件下具有可展望的开关能力，能够在延续运行中持久保持极高的可靠性。为怀仁对严苛利用环境中的散热和机械问题，CoolSiC JFET采取英飞凌先辈的.XT互连技术与分散焊接工艺，从而显著下降了器件在工业电力系统中常见的脉冲与循环负载下的瞬态热阻抗，并大幅提拔了其可靠性。该器件基于固态功率开关的现实工况测试和验证，并采取吻合行业尺度的Q-DPAK封装，可在工业与汽车利用中实现快速、无缝的设计集成。供货情况新型CoolSiC JFET 系列的工程样品将于 2025 年推出，并于2026年最先量产，后续还将插手多种封装和模块。该产物系列将在纽伦堡 PCIM Europe 2025的英飞凌展台进行展现。了解更多信商城，请拜候 www.infineon.com/jfet。英飞凌将参加PCIM Europe 2025欧洲电力电子系统及元器件展（PCIM Europe）将于2025年5月6~8日在德国纽伦堡举行。英飞凌将在7号展厅470号展台展现低碳化和数字化产物息争决方案。公司神池表还将在PCIM Expo舞台和同期举行的PCIM会议上颁发多场演讲。 分享到